在第三代半导体加快渗入的波浪中，闻泰科技（维权）半导体业务坚握研发立异，推出行业逾越的SiC Trench MOS，不仅彰显了时期冲破的实力，更成为企业价值增长、推动产业升级的要津锚点。

界说业界标杆

公司SiC Trench MOS行业逾越

碳化硅（SiC）算作第三代半导体中枢材料，在电力电子器件领域的价值日益突显。其中，SiC Trench MOS因多重上风，被视为下一代功率器件的费当事者义，但受限于制造工艺，遥远以来产业化进度迟缓。

闻泰科技半导体业务以立异为驱动，推出SiC沟槽结构MOSFET（Trench MOS），其工艺在资本和性能上已处于行业逾越水平。

什么是沟槽结构MOSFET？相较于传统平面结构，沟槽结构通过将栅极埋入基体酿成垂直沟说念，寄生电容更小，开关速率更快，开关损耗权贵裁减；同期，通过优化沟说念联想，可结束更高沟说念移动率，进一步裁减导通电阻，在充电桩、光伏逆变器、电动汽车等场景中，展现出超越的附近价值。

产能前瞻布局

筑牢时期落地的根基

时期冲破的同期，公司在产能端开展前瞻布局。公司半导体业务位于德国汉堡晶圆厂的第三代半导体产线将在第四季度完成SiC和GaN中试产线援手；同期，控股股东先行代建的临港晶圆厂正导入新一代IGBT及BCD工艺。这些产线的落地，将为公司新址品的工艺与资本改善提供撑握，同期助力公司在GaN、SiC、IGBT等领域酿成时期与产能的联动上风，推动“时期立异—范围效应”的良性轮回。尽管新址品在公司业务中占比尚小，但跟着研发的有序鼓动，有望为畴前发展注入新能源。

现在，公司半导体业务自有工场满产驱动，临港晶圆厂品级三方代工场订单弥散，三季度订单握续向好，为全年增长打下了坚实基础。

功绩郑重增长

彰显市集高度招供

研发与产能上的握续深耕，正在改换为实真的在的功绩增长。

2025年以来，闻大半导体业务景气度握续回升：一季度收入同比增长超8%，筹划性净利润同比增长超65%；二季度不断增长态势，收入、净利润同等到环比均结束两位数增长，且净利润增速高于收入增速，响应出公司在出货量栽培与资本管控上的双重奏效。

奉陪大家对高成果半导体器件的需求增长，功率半导体有望在新能源汽车、AI数据中心、机器东说念主等领域拓展更大空间。跟着市集趋势对半导体的依赖性增强，瞻望半导体业务畴前几年的增长趋势是积极的。

SiC Trench MOS的推出，是闻泰科技在第三代半导体领域的费事冲破。闻泰科技正以其为支点，握续深耕SiC、GaN、IGBT等前沿领域，通过构建逾越的制造才略，在时期立异与产业落地中不断创造价值，为半导体行业的发展注入握续能源。